發生變化III-V族復合型半導體芯片芯片材料的迅速的發展方向與創新技術選用，造成氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和別一系有機化合物半導體芯片芯片的表現表現，該應該如果像電壓量測方法有一種，更快改變超快的I-V源和量測方法操作用？該應該如果可以通過用窄輸入輸入脈沖和/或低占空比輸入輸入脈沖，而而不是電壓表現來防范配件的自熱負效應？該應該如果能夠滿足既必須 超快交流電壓效果，又必須 發送到高靈活度電壓量測方法的選用要求？
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