盛夏已過，初秋開場

九月的高溫高壓依舊的意思及時不散日常生活也免不好被繁多的運轉咒印

直流電大輸出功率(6500V/3000A)IGBT測驗難？伴伴隨建設項目需求分析急、任務卡重、條件高公程師們負擔山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

基于SiC與Si形態的各種不同，SiC MOSFET的閥值法直流電阻值具忽上忽下明確，在元件檢驗階段中閥值法直流電阻值也會有凸顯漂移，導致其電耐磨性檢驗各種高溫環境柵偏實驗后的電檢驗的結果造成 受制于于檢驗因素。于是閥值法直流電阻值的最準檢驗，暫行耐用性檢驗做法有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通阻值 RDSon為危害功率器件運行時導通自然損耗的一關鍵優點參數設置，其均值會隨 VGS 甚至T的發生變化而增加。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保養能夠將的電壓也許直流電壓規定在SOA地區，盡量不要功率器件故障或炸管。

軟件測試必要條件：800V 恒壓 10μA 限流

檢查條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）電阻校正電路板將增強導通電阻校正可靠性強，精密度；? SOCKET與PIN學習阻值值、測試軟件引線導通阻值值。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電流大小波型自由振蕩；? 錢路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 硬性同軸數據線的等效電容器與DUT串聯，SMU測試時回升甚至動態平衡時間長；? 三同軸高壓電纜等效電感可以說為0。

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